11月2日，据武汉经济开发区官方消息，首批采用纳米银烧结技术的碳化硅SIC模块已从智信半导体二期生产线顺利下线，并完成了自主包装、试验和应用老化试验。该突破性碳化硅模块采用纳米银烧结技术和铜键合技术，采用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制pin-fin散热铜基板。与传统工艺相比，该模块的热阻降低了10%以上，工作温度高达175℃，而损耗大大降低了40%以上。这一创新技术有望提高整车里程的5%-8%。

据武汉经济开发区消息，智信半导体公司碳化硅模块项目是基于东风集团新一代800V高压平台“马赫动力”开发的。该项目于2021年开发，2022年12月正式批准为量产项目。

智信半导体自成立以来，已申请受理专利51项，其中发明专利40项，授权专利20项，其中发明专利11项。公司的研发实力得到了业界的广泛认可。

早在2019年6月，东风就与中车合资成立了智信半导体有限公司，DATEL半导体IC芯片模块采购平台 开始自主研发和生产汽车标准IGBT模块。2021年7月，基于第六代IGBT技术的生产线开始大规模生产。这一重要进展为智信半导体碳化硅模块项目奠定了坚实的基础。

那第六代IGBT技术是什么呢？IGBT(绝缘栅双极晶体管)是电力系统和电子设备中广泛使用的功率半导体器件。随着技术的不断进步，IGBT的代际也在不断更新。第六代IGBT技术是目前开关频率更高、损耗更低、可靠性更高的先进IGBT技术之一。

目前，中国第六代IGBT技术取得了重要进展。许多国内企业已开始开发和生产第六代IGBT芯片，并将其应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。其中，作为东风公司和中车的合资企业，智信半导体在第六代IGBT技术的研发和应用方面取得了显著成就。

智信半导体碳化硅模块项目第二阶段于2022年第三季度启动，预计将于2023年5月启动。该项目计划建立一条新的IGBT模块生产线，以实现年产30万辆汽车模块的生产能力。该项目的实施将进一步巩固智信半导体在国内IGBT领域的领先地位，为中国半导体产业的发展做出更大贡献。

简而言之，智信半导体碳化硅模块的顺利离线标志着中国在半导体领域的又一个重大突破。与此同时，中国在IGBT技术方面也在不断追赶国际领先水平，并逐步实现国内替代。随着技术的不断进步和应用领域的不断扩大，中国半导体产业的前景将更加广阔。

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