NE555DR和NE555D有区别吗?

根据官方文档，性能、封装上没有区别，只有在包装上的区别而已 。

NE555集成块与NE555D、NE555N集成块的内部结构基本相同，它们的作用一样.NE7555是CMOS器件，NE555是双极型器件.双极型器件的耐压范围较宽.

产品型号:NE555DR，工作电压(v):4.5~16，输出电流(ma):±200，定时范围:10μs~hours，最大工作频率(khz):500，功耗(mw):1000封装/温度(℃):8soic/0~70，描述:通用定时器

NE555时基电路，为电压比较器和R-S基本触发器的混成电路，可方便地构成单稳态（延时、定时）电路、双稳态（开关）电路及无稳态（振荡）电路。其构成电路之简便和应用之广，素有“万能电路”之称。

制造商: Texas Instruments

产品种类: Timers & Support Products

类型: Standard

封装 / 箱体: SOIC-8

芯片采购平台 51); font-family: "microsoft yahei"， arial; font-size: 18px; white-space: normal;">内部定时器数量: Single

电源电压（最大值）: 16 V

电源电压（最小值）: 4.5 V

最大工作温度: + 70 C

最小工作温度: 0 C

封装: Reel

图NE555时基电路原理框图及引脚功能

如上图所示，R1、R2、R3对供电Vcc分压，使N1比较器基准端（同相输入端）电压为1/3Vcc，N2基准端（反相输入端）电压为2/3Vcc。芯片5脚为调整端，接入上拉或下拉电阻时，可改变两个基准端电压的高低。两路比较器的输出端与R-S触发器的置位和复位相接，从而决定芯片3脚输出端的电平状态。当芯片2脚（/TR端）输入信号电压低于1/3Vcc时，N1输出端为“0”，R-S触发器被置位，芯片3脚变高电平，（在复位信号未输入之前）并保持；当芯片6脚输入电压高于2/3Vcc时，N2输出端为“1”，R-S触发器被复位（在置位信号未输入之前）并保持。芯片4为优先复位端（低电平有效），不用时可接Vcc。显然，作为开关电路应用时，只要控制芯片2脚电压低于1/3Vcc，电路处于“开”态（3脚为“1”）；控制芯片6脚高于2/3Vcc，电路即处于“关”态（3脚为“0”），即为开关（双稳态）电路。

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• 区别
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