LMC662 CMOS双运算放大器

一般说明 LMC662CMOS双运算放大器是单电源操作。工作电压从+5V到+15V并具有轨对轨输出摆幅和输入包括接地的共模范围。性能过去困扰CMOS放大器的局限性不是这个设计的问题。输入VOS、漂移和宽带噪声和实际负载的电压增益（2 kΩ和600Ω）均等于或优于广泛交流接受的双极等效物。这个芯片是用国家先进的双聚体制造的硅栅CMOS工艺。四CMOS操作见LMC660数据表具有相同功能的放大器。 特征 轨对轨输出摆幅 指定用于2 kΩ和600Ω负载 高压增益：126分贝 低输入偏移电压：3 mV

隔离式PC板安装DC / DC转换器，25W Cosel ZUS25系列

产品概述 Digi-Key零件号ZUS251212-A-ND 制造商零件编号ZUS251212-A 描述DC DC转换器12V25W 详细说明隔离模块DC DC转换器1输出12V 2.1A 9V - 18V输入 产品属性全选 分类电源-板载 DC DC转换器 生产厂家Cosel USA，Inc。 系列社会保险机构 部分状态活性 类型隔离模块 输出数量1 电压-输入（最小值）9V 电压-输入（最大）18V 电压-输出1 12V 电压-输出2 - 电压-输出3 - 电压-输出4 - 电流-输出（最

温度测控芯片DS1620

DS1620是一种半导体温度测控芯片，9位温度数据值，测温范围-55~+125℃，0.5℃分辨率。通过三线串行接口与CPU连接，可作为热传感器使用；用三个温控触发端控制加热或制冷装置，可用作热继电器。 DS1620是数字温度测控器件。 2.7~ 5.0V供电电压，测量温度范围为-55~+125℃，9位数字量表示温度值，分辨率为0.5℃。在0~+70℃精确度为0.5℃， -40~0℃和+70~+85℃精确度为1℃，-55~-40℃和+85~ +125℃精确度为2℃。TH和TL寄存器中的温度报警限

LMV722-N：10MHz、低噪声、低电压和低功耗运算放大器

LMV721-N（单）和LMV722（双）是低噪声、低电压和低功率的运算放大器，可以设计成广泛的应用。LMV721-N/LMV722具有10MHz的单位增益带宽、5V/us的转换速率和2.2V时930uA/放大器的静态电流。 LMV721-N/722被设计用于在低电压和低噪声系统中提供最佳性能。它们提供轨对轨输出，使其摆动成重载。输入共模电压范围包括接地，LMV721-N/LMV722的最大输入偏置电压为3.5mV（过温）。它们的电容负载能力在低电源电压下也很好。工作范围为2.2V至5.5V。

产品编号：WP113HDT亮红色2x5mm矩形LED灯

特征 功耗低。 可靠耐用。 出色的光输出均匀性。 适合水平指示器。 寿命长 - 固态可靠性。 符合RoHS标准。 描述 Bright Red源彩色设备由镓制成 磷化物红光发光二极管。 包装尺寸 选择指南 笔记： 1.θ1/ 2是光学中心线的角度，其中发光强度是光学峰值的1/2。 2.发光强度/发光通量：+/- 15％。 3.发光强度值可追溯至符合CIE127-2007的国家标准。 TA = 25°C时的绝对最大额定值 TA = 25°C时的电气/光学特性 笔记： 1. 1/10占空比，0.1m

电子产品的电源共模电感的原理和作用

电子产品的电源部分经常有个共模电感，这个电感是起双向滤波作用的，一是用来滤除共模干扰信号影响后级电路，二是滤除后级电路产生的电磁干扰影响电网。 共模电感是由两个相同线圈分别绕在铁芯两端制成的，共模信号是指放大器两个输入端是同相位并且大小相等的信号，而题主所说电子产品的电源都是交流电输入，而交流电就是一个差模信号，它流过共模电感的两个线圈时，两个线圈电流产生的磁场方向相反被相互抵消掉，所以共模电感是对正常交流电流不起作用的。 而电源当中的共模信号是指火零两根线分别对地的噪声，因为大小相等，相位相

从ISSCC论文看半导体行业的走势

国际固态半导体电路会议（ISSCC）被人称为“集成电路界的奥林匹克”，在会议上发表的论文都是全球来自学术界以及工业界质量最高的创新性工作。 与其他学术会议论文主要来自学术界不同，ISSCC上有许多论文来自于半导体工业界的公司，包括Intel，三星等等。从一个角度来看，在半导体领域，工业界的研发仍然对于产业的技术沿革有着重要作用。从另一个角度来看，ISSCC上来自公司的论文也可以体现出这些公司对于研发的重视程度。 从业界发表的论文来看，也可以分成两类。第一类来自公司的产品部门，论文的内容往往是新

电源符号VCC、VDD、VEE、VSS都是什么意思？有何区别？

一种解释 DCpower一般是指带实际电压的源，其他的都是标号。在有些仿真软件中，默认把标号和源相连。 VCC：C=circuit，表示电路的意思，即接入电路的电压。 VDD：D=device，表示器件的意思，即器件内部的工作电压。 VSS：S=series，表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。 另一种解释 Vcc和Vdd是器件的电源端。 Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含

精密电阻和普通电阻之间的区别

精密电阻和一般电阻中间的差别 原材料特点：在一定范畴内的温控，高精密数据误差尺寸公差比一般标准误差电阻小长短。 比如，一般标准规范电阻的偏差有1％〜5％，而高精密精确测量电阻的误差分析大家我国仅有0.1％乃至公司能够 危害更小。 （偏差表明：比如，精度为0.1％的电阻是一个复合型偏差，这事实上代表着电阻仍应在正常温度℃0.1％之内（比如。10-35）和一年内，包含全部不正确。） 成本费差别：因为应用较高精度的电阻溫度平稳的原材料，因而成本费会比一切正常电阻高些。 数据型号规格差别：规范电阻和三

台硅晶圆厂合晶联贷完成签约 今年积极扩充8英寸产能

台湾地区半导体硅晶圆厂合晶昨(16)日与土银等14家金融机构签署新台币26亿元的联合授信合约，主要用以偿还前期联贷借款余额，以及龙园龙潭厂8英寸产能扩充计划。 合晶表示，此次联贷案由土银担任统筹主办银行，有新光银行、板信银行、合作金库银行、台北富邦银行、彰化银行、第一银行、台湾银行、安泰银行、远东国际银行、上海商银、兆丰银行、元大银行及高雄银行共同参与。 合晶科技成立于1997年7月24日，主要从事半导体硅晶圆制造与销售，为全球前十大半导体硅晶圆材料供应商之一。主要产品为半导体级硅产品如硅晶圆

从原理上轻松理解阻容降压

电容降压的工作原理并不复杂。他的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。 例如,在50Hz的工频条件下,一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端,则流过电容的最大电流约为70mA。虽然流过电容的电流有70mA,但在电容器上并不产生功耗,应为如果电容是一个理想电容,则流过电容的电流为虚部电流,它所作的功为无功功率。 根据这个特点,我们如果在一个1uF的电容器上再串联一个阻性元件,则阻性元件两端所得到的电压和它所产生的功耗完全

基于IGBT技术实现反并联二极管的正确设计

引言 反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关，其它的与应用相关。但是，正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力 终将构成一种三角关系。 由于在当前的二极管技术条件下，二极管芯片本身的尺寸已经被削减至很小，所以二极管设计师再次将目光投向电气性能（忽略成本因素）。本文将聚焦驱动应用中的二极管，进行利弊分析与思考。对于所有应用来说，所考虑的基本点是一样的：应该使用静态损耗较低的二极管，还是考虑整个系统（包括IGBT）性能而使用静态损耗稍高但开关损耗较低的