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ASML研发下一代EUV光刻机:分辨率提升70% 逼近1nm极限
发布日期:2024-06-26 06:54     点击次数:112

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在EUV光刻机方面,荷兰ASML(阿斯麦)公司垄断了目前的EUV光刻机,去年出货26台,创造了新纪录。据报道,ASML公司正在研发新一代EUV光刻机,预计在2022年开始出货。根据ASML之前的报告,去年他们出货了26台EUV光刻机,预计2020年交付35台EUV光刻机,2021年则会达到45台到50台的交付量,是2019年的两倍左右。目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C,两者基本结构相同,但NXE:3400C采用模块化设计,维护更加便捷, 芯片采购平台平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时,支持7nm、5nm。此外,NXE:3400C的产能也从之前的125WPH(每小时处理晶圆数)提升到了175WPH。不论NXE:3400B还是NXE:3400C,目前的EUV光刻机还是第一代,主要特点是物镜系统的NA(数值孔径)为0.33。ASML最近纰漏他们还在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列,NA指标达到了0.55,主要合作伙伴是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。与之前的光刻机相比,新一代光刻机意味着分辨率提升了70%左右,可以进一步提升光刻机的精度,毕竟ASML之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。不过新一代EUV光刻机还有点早,至少到2022年才能出货,大规模出货要到2024年甚至2025年,届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。