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标题:Infineon品牌IGW40T120FKSA1半导体IGBT 1200V 75A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon公司推出的IGW40T120FKSA1半导体IGBT,是一款适用于各种工业和电力电子应用的高性能产品。该器件采用TO247-3封装,具有1200V、75A的额定值,适用于中压逆变器、不间断电源(UPS)和电机驱动等应用场景。 技术特点: 1. 高压性能:该器件可在1200V电压下正常工作,具有出色的耐压性能,适用于各种高电压场合。 2. 电流容量大:75A的
Infineon英飞凌FF1500R12IE5PBPSA1模块IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME:参数解析与方案应用 随着科技的不断进步,电子设备对功率半导体器件的需求日益增长。在这其中,Infineon英飞凌的FF1500R12IE5PBPSA1模块IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME无疑是一款备受瞩目的产品。本文将详细解析该模块的参数,并探讨其方案应用。 一、参数解析 1. 型号与规格:FF1500R12IE5PBPSA1模块IGBT MOD是英飞
随着电力电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的FF1200R17IP5PBPSA1模块IGBT便是其中的佼佼者。本文将介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF1200R17IP5PBPSA1模块IGBT是一款高性能的绝缘栅双极晶体管,具有以下主要参数: 1. 型号:FF1200R17IP5PBPSA1 2. 最大栅极电压:±15V 3. 最大集电极电流:17A 4. 最大浪涌电流
标题:Infineon IGW25T120FKSA1 1200V 50A TO247-3 IGBT技术与应用方案介绍 Infineon IGW25T120FKSA1是一款高性能的1200V 50A TO247-3 IGBT,其技术特点和方案应用引人瞩目。这款产品采用先进的工艺技术,具有高耐压、大电流、低损耗、高可靠性等优点,适用于各种需要高效、节能、耐高压的电子设备。 首先,IGW25T120FKSA1具有出色的热性能和电气性能。其高电流能力使得它能以更高的效率处理更大的功率,同时其低损耗特性
随着电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌FP100R12KT4B11BOSA1模块IGBT MOD便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数解析 FP100R12KT4B11BOSA1模块IGBT MOD是一款高性能的1200V 100A 515W IGBT模块。其主要参数如下: * 电压范围:1200V; * 电流容量:最大100A; * 最大漏极功率:515W; * 工作温
Infineon品牌IGW50N60H3FKSA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3技术详解与方案介绍 随着科技的不断进步,半导体技术也在日益发展。今天我们将为大家介绍一款备受瞩目的半导体产品——Infineon品牌IGW50N60H3FKSA1的IGBT。这款产品采用TRENCH/FS技术,具有600V 100A的规格,适用于TO247-3封装,具有广泛的应用前景。 首先,我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型功率半导体器件,具有较高的开关
标题:Infineon IGW50N65F5FKSA1 半导体 IGBT 650V 80A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon IGW50N65F5FKSA1 半导体 IGBT 是一款适用于工业电源和电子设备的650V 80A TO247-3型号。这款高性能的半导体器件具有高耐压、大电流和高效率等特点,适用于各种应用场景,如变频器、电机驱动、UPS、太阳能逆变器和风能变流器等。 技术特点: * 高压大电流设计,使得该器件在同类产品中具有较高的性能优势; * 采用TO247-3封装
标题:Infineon品牌IKW30N65H5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3技术详解与方案介绍 Infineon品牌IKW30N65H5XKSA1半导体IGBT,一款具有TRENCH 650V 55A特性的TO247-3封装器件,在电力电子领域具有广泛的应用前景。该器件采用先进的沟槽技术,具有高饱和电压、低导通电阻和快速开关特性,适用于各种工业电机、变频器、电源和太阳能逆变器等应用场景。 技术特点: 1. 650V TRENCH封装技术,有效降低芯片热
标题:Infineon品牌IGW30N65L5XKSA1半导体IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3技术与应用方案介绍 一、技术特点 Infineon品牌IGW30N65L5XKSA1半导体IGBT是一款高性能的650V 30A TRENCHSTOP TO247-3封装产品。它具有高输入电容、低导通电阻和快速开关性能等特点,适用于各种工业电源和电机驱动系统。该芯片采用TO-247-3封装,具有高可靠性、低热阻和良好的散热性能。 二、应用方案 1. 电源转换:该芯片适用

什么是IGBT管?

2024-08-17
IGBT管   IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极晶体管,是由BJT(双极三极管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的综合性全控电压驱动功率半导体装置,兼具MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降两大优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流大;MOSFET驱动功率小,开关速度快,但导通压降低,载流密度小。IGBT结合了上述两种装置的优点,降低了驱动功率和饱和压。适用于DC电压为600V及以上的变流系统,如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、