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西安三星半导体扩建,冲刺全新12英寸芯片领域
发布日期：2024-03-25 08:26     点击次数：114

12月12日，韩国公司获得美国豁免。三星电子和SK海力士可进口半导体芯片生产设备，无需特别许可，并采取了相应措施。

创新之都再迎巨变西安三星半导体扩建项目进入主体施工阶段打造全新12英寸闪存芯片领域.png

据中国建筑钢结构报道，三星(中国)半导体12英寸闪存芯片M-FAB项目模块已完成首次吊装，标志着项目正式进入主要施工阶段。根据公开信息，三星(中国)半导体有限公司于2012年落户西安高新区，是三星唯一的海外存储半导体生产基地。该厂于2020年增加了第二期工厂项目，已成为全球大型NAND制造基地，每月可生产20万片12英寸晶圆，占三星NAND总产量的40%以上。三星西安第一厂投资108.7亿美元(IT之家注:目前约780.47亿元)， 电子元器件采购网 2017年开工的第二厂投资150亿美元(目前约1077亿元)。三星(中国)半导体公司二期工程位于西安市长安区西太路综合保税区，由三星(中国)半导体有限公司投资建设，总建筑面积约10.7万平方米。Business Korea今年10月报道称，三星电子高管已决定将西安NAND闪存工厂升级为236层NAND工艺，并开始大规模扩张。

消息人士称，三星已开始购买最新的半导体设备，预计将于2023年底交付，并于2024年在西安工厂引进第八代NAND设备，这也被业界视为克服全球NAND需求疲软导致产能下降的战略步骤。

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